氧化锌（ZnO）是一种宽禁带半导体材料，具有高效、无毒性、价格低廉等优点。目前，ZnO半导体样品在光催化降解和完全矿化环境中污染物领域受到了人们的高度关注。本书第1章阐述了锌系光催化剂发展现状；第2章主要阐述光催化反应中电子转移过程；第3章着重阐述锌系光催化剂制备方法；第4章讲述锌系光催化剂的改性方法；第5章讲述锌系光催化剂的应用。

李慧泉 男，汉族，1973年9月生，江西萍乡人，中共党员，博士（博士后），教授。从2001年至今一直从事半导体光催化治理环境污染物、光解水制氢及制氧等方面的研究工作。

第1章绪论
第2章光催化反应原理
2.1光化学基本原理
2.2半导体光催化反应理论
第3章锌系光催化剂制备方法
3.1氧化锌的制备方法
3.2负载氧化锌的制备方法
3.3掺杂氧化锌的合成方法
第4章锌系光催化剂的改性方法
4.1金属掺杂改性
4.2金属离子掺杂改性
4.3半导体的复合改性
4.4载体负载改性
第5章锌系光催化剂的应用
5.1氧化锌光催化剂的应用
5.2碳基氧化锌复合材料光催化剂应用