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抗辐射集成电路设计理论与方法

抗辐射集成电路设计理论与方法

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  • 作者:高武
  • 出版时间:2018/10/1
  • ISBN:9787302505297
  • 出 版 社:清华大学出版社
  • 中图法分类:TN402 
  • 页码:320
  • 纸张:
  • 版次:1
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本书首先介绍辐射环境、辐射相互作用物理过程及若干种辐射效应; 接下来,本书详细介绍集成电路抗辐射加固设计方法学,包括单粒子闩锁加固策略及测试、辐射加固器件的SPICE模型、抗辐射单元库设计、自动综合的抗辐射数字电路设计、模拟和混合信号电路加固设计等; 最后,本书介绍集成电路辐射效应仿真、单粒子效应的脉冲激光测试原理和辐射加固保障测试。
本书可作为微电子和核科学等领域相关教师、研究生和工程人员在学术研究和工程技术方面的参考书。
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