《微电子器件基础（第2版）》是哈尔滨工业大学“国家集成电路人才培养基地”教学建设成果。本书重点介绍p-n结二极管、双极型晶体管和场效应晶体管的基本结构、工作原理、直流特性、频率特性、功率特性和开关特性，以及描述这些特性的有关参数；简要介绍晶闸管、异质结双极晶体管、静电感应晶体管、绝缘栅双极晶体管、单结晶体管、双极反型沟道场效应晶体管和穿通型晶体管等微电子器件的基本概念、结构和工作原理。本书配有PPT等教学资源。
《微电子器件基础（第2版）》可作为普通高等学校电子科学与技术、集成电路设计、微电子学等专业本科生相关课程的教材，也可供相关专业本科生、研究生以及从事微电子技术相关工作的科研及工程技术人员阅读参考。
第1章 p-n结二极管
1.1 p-n结的形成及平衡状态
1.1.1 p-n结的形成与空间电荷区
1.1.2 平衡p-n结的能带图与势垒高度
1.2 p-n结的直流特性
1.2.1 正向p-n结
1.2.2 反向p-n结
1.2.3 温度对p-n结电流和电压的影响
1.3 p-n结空间电荷区和势垒电容
1.3.1 p-n结空间电荷区的电场和电位分布
1.3.2 p-n结势垒电容
1.4 p-n结的小信号交流特性
1.4.1 p-n结小信号交流电流-电压方程
1.4.2 p-n结的小信号交流导纳
1.4.3 p-n结扩散电容
1.5 p-n结的击穿特性
1.5.1 p-n结击穿机理
1.5.2 雪崩击穿条件
1.5.3 雪崩击穿电压及其影响因素
1.5.4 击穿现象的应用--稳压二极管
1.6 p-n结二极管的开关特性
1.7 p-n结二极管的其他类型
1.7.1 反向电阻阶跃恢复二极管
1.7.2 超高频二极管
1.7.3 钳位二极管
1.7.4 噪声二极管
1.7.5 雪崩渡越二极管
1.7.6 隧道二极管
1.7.7 反向二极管
思考与练习
第2章 双极型晶体管的直流特性
2.1 晶体管的基本结构和杂质分布
2.1.1 晶体管的基本结构
2.1.2 杂质分布
2.2 晶体管的放大机理
2.2.1 晶体管的能带图及少子分布
2.2.2 晶体管中的电流传输过程及放大作用
2.3 晶体管的直流I-V特性及电流增益
2.3.1 均匀基区晶体管（以npn管为例）
2.3.2 缓变基区晶体管（以npn管为例）
2.3.3 影响电流放大系数的其他因素
2.4 晶体管的反向电流及击穿电压
2.4.1 晶体管的反向电流
2.4.2 晶体管的击穿电压
2.5 双极型晶体管的直流特性曲线
2.5.1 共基极直流特性曲线
2.5.2 共发射极直流特性曲线
2.6 基极电阻
2.6.1 概述
2.6.2 梳状结构晶体管的基极电阻
2.7 埃伯尔斯-莫尔（Ebers-Moll）模型
思考与练习
第3章 双极型晶体管的频率特性
3.1 晶体管交流电流放大系数与频率参数
3.2 晶体管交流特性的理论分析
3.2.1 均匀基区晶体管交流特性分析
3.2.2 缓变基区晶体管交流特性分析
3.3 晶体管的高频参数及等效电路
3.3.1 晶体管高频Y参数及其等效电路
3.3.2 晶体管高频h参数及等效电路
3.4 高频下晶体管中载流子的输运及中间参数
3.4.1 发射效率及发射结延迟时间
3.4.2 基区输运系数及基区渡越时间
3.4.3 集电结势垒输运系数及渡越时间
3.4.4 集电区倍增因子与集电极延迟时间
3.5 晶体管电流放大系数的频率关系
3.5.1 共基极电流放大系数及其截止频率
3.5.2 共发射极电流放大系数及其截止频率
3.5.3 影响fT的因素和提高fT的途径
3.6 晶体管的高频功率增益和最高振荡频率
3.6.1 最佳高频功率增益
3.6.2 高频优值和最高振荡频率
3.6.3 提高功率增益或最高振荡频率的途径
3.7 工作条件对晶体管fT、Kpm的影响
3.7.1 工作点对fT的影响
3.7.2 工作点对Kpm的影响
思考与练习
第4章 双极型晶体管的功率特性
4.1 集电极最大允许工作电流ICM
4.2 基区大注入效应对电流放大系数的影响
4.2.1 基区大注入下的电流（以npn管为例）
4.2.2 基区电导调制效应
4.2.3 基区大注入对电流放大系数的影响
4.3 有效基区扩展效应
4.3.1 均匀基区晶体管的有效基区扩展效应
4.3.2 缓变基区晶体管的有效基区扩展效应
4.4 发射极电流集边效应
4.5 晶体管最大耗散功率PCM
4.6 二次击穿和安全工作区
思考与练习
第5章 双极型晶体管的开关特性
5.1 开关晶体管的静态特性
5.2 晶体管的开关过程和开关时间
5.3 开关晶体管的正向压降和饱和压降
思考与练习
第6章 结型栅场效应晶体管
6.1 JFET基本结构和工作原理
6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数
6.2.1 肖克莱理论和JFET的直流特性
6.2.2 JFET的直流参数
6.2.3 JFET的交流小信号参数
6.2.4 任意沟道杂质浓度分布的JFET
6.2.5 四极管特性
6.2.6 高场迁移率的影响
6.2.7 关于沟道夹断和速度饱和的讨论
6.2.8 串联电阻的影响
6.2.9 温度对直流特性的影响
6.3 JFET的交流特性
6.3.1 交流小信号等效电路
6.3.2 JFET和MESFET中的电容
6.3.3 JFET和MESFET的频率参数
6.4 JFET的功率特性
6.5 JFET和MESFET结构举例
6.5.1 MESFET的结构
6.5.2 JFET的结构
6.5.3 V形槽硅功率JFET
思考与练习
第7章 MOS场效应晶体管
7.1 基本结构和工作原理
7.1.1 MOSFET的基本结构
7.1.2 MOSFET的基本工作原理
7.1.3 MOSFET的基本类型
7.2 MOSFET的阈值电压
7.2.1 MOSFET阈值电压表达式
7.2.2 影响MOSFET阈值电压的因素
7.2.3 关于强反型状态
7.3 MOSFET的I-V特性和直流特性曲线
7.3.1 MOSFET的电流-电压特性
7.3.2 弱反型（亚阈值）区的伏安特性
7.3.3 MOSFET的特性曲线
7.3.4 MOSFET的直流参数
7.4 MOSFET的频率特性
7.4.1 MOSFET的交流小信号参数
7.4.2 MOSFET的交流小信号等效电路
7.4.3 MOSFET的频率特性
7.5 MOSFET的功率特性和功率MOSFET的结构
7.5.1 MOSFET的功率特性
7.5.2 功率MOSFET结构
7.5.3 功率MOSFET的导通电阻
7.6 MOSFET的开关特性
7.6.1 MOSFET的本征延迟
7.6.2 MOSFET的非本征延迟
7.6.3 NMOS倒相器的延迟时间
7.7 MOSFET的击穿特性
7.8 MOSFET的温度特性
7.9 MOSFET的短沟道和窄沟道效应
7.9.1 阈值电压的变化
7.9.2 漏极特性和跨导的变化
7.9.3 弱反型区亚阈值漏极电流的变化
7.9.4 长沟道器件的最小沟道长度限制
7.9.5 短沟道高性能器件结构举例
思考与练习
第8章 晶体管的噪声特性
8.1 晶体管的噪声和噪声系数
8.2 晶体管的噪声源
8.3 p-n结二极管的噪声
8.4 双极型晶体管的噪声特性
8.5 JFET和MESFET的噪声特性
8.6 MOSFET的噪声特性
思考与练习
第9章 其他类型的微电子器件
9.1 晶闸管
9.1.1 二极晶闸管
9.1.2 三极晶闸管
9.1.3 反向导通晶闸管
9.1.4 双向晶闸管
9.2 异质结双极晶体管
9.3 静电感应晶体管
9.4 绝缘栅双极晶体管（IGBT）
9.5 单结晶体管
9.6 双极反型沟道场效应晶体管（BICFET）
9.7 穿通型晶体管
9.7.1 可透基区晶体管
9.7.2 穿通型场效应晶体管
9.7.3 空间电荷限制三极管
附录Ⅰ 常温下主要半导体的物理性质
附录Ⅱ 常用介质膜的物理参数
附录Ⅲ 常用物理常数表
附录IV 硅电阻率与杂质浓度的关系（300 K）
附录V 硅中迁移率与杂质浓度的关系
附录Ⅵ 扩散结势垒电容和势垒宽度关系曲线
附录Ⅶ 硅中扩散层平均电导与表面浓度、结深关系
附录Ⅷ 半导体分立器件型号命名法
参考文献336 显示部分信息第1章 p-n结二极管
1.1 p-n结的形成及平衡状态
1.1.1 p-n结的形成与空间电荷区
1.1.2 平衡p-n结的能带图与势垒高度
1.2 p-n结的直流特性
1.2.1 正向p-n结
1.2.2 反向p-n结
1.2.3 温度对p-n结电流和电压的影响
1.3 p-n结空间电荷区和势垒电容
1.3.1 p-n结空间电荷区的电场和电位分布
1.3.2 p-n结势垒电容
1.4 p-n结的小信号交流特性
1.4.1 p-n结小信号交流电流-电压方程
1.4.2 p-n结的小信号交流导纳
1.4.3 p-n结扩散电容
1.5 p-n结的击穿特性
1.5.1 p-n结击穿机理
1.5.2 雪崩击穿条件
1.5.3 雪崩击穿电压及其影响因素
1.5.4 击穿现象的应用--稳压二极管
1.6 p-n结二极管的开关特性
1.7 p-n结二极管的其他类型
1.7.1 反向电阻阶跃恢复二极管
1.7.2 超高频二极管
1.7.3 钳位二极管
1.7.4 噪声二极管
1.7.5 雪崩渡越二极管
1.7.6 隧道二极管
1.7.7 反向二极管
思考与练习
第2章 双极型晶体管的直流特性
2.1 晶体管的基本结构和杂质分布
2.1.1 晶体管的基本结构
2.1.2 杂质分布
2.2 晶体管的放大机理
2.2.1 晶体管的能带图及少子分布
2.2.2 晶体管中的电流传输过程及放大作用
2.3 晶体管的直流I-V特性及电流增益
2.3.1 均匀基区晶体管（以npn管为例）
2.3.2 缓变基区晶体管（以npn管为例）
2.3.3 影响电流放大系数的其他因素
2.4 晶体管的反向电流及击穿电压
2.4.1 晶体管的反向电流
2.4.2 晶体管的击穿电压
2.5 双极型晶体管的直流特性曲线
2.5.1 共基极直流特性曲线
2.5.2 共发射极直流特性曲线
2.6 基极电阻
2.6.1 概述
2.6.2 梳状结构晶体管的基极电阻
2.7 埃伯尔斯-莫尔（Ebers-Moll）模型
思考与练习
第3章 双极型晶体管的频率特性
3.1 晶体管交流电流放大系数与频率参数
3.2 晶体管交流特性的理论分析
3.2.1 均匀基区晶体管交流特性分析
3.2.2 缓变基区晶体管交流特性分析
3.3 晶体管的高频参数及等效电路
3.3.1 晶体管高频Y参数及其等效电路
3.3.2 晶体管高频h参数及等效电路
3.4 高频下晶体管中载流子的输运及中间参数
3.4.1 发射效率及发射结延迟时间
3.4.2 基区输运系数及基区渡越时间
3.4.3 集电结势垒输运系数及渡越时间
3.4.4 集电区倍增因子与集电极延迟时间
3.5 晶体管电流放大系数的频率关系
3.5.1 共基极电流放大系数及其截止频率
3.5.2 共发射极电流放大系数及其截止频率
3.5.3 影响fT的因素和提高fT的途径
3.6 晶体管的高频功率增益和最高振荡频率
3.6.1 最佳高频功率增益
3.6.2 高频优值和最高振荡频率
3.6.3 提高功率增益或最高振荡频率的途径
3.7 工作条件对晶体管fT、Kpm的影响
3.7.1 工作点对fT的影响
3.7.2 工作点对Kpm的影响
思考与练习
第4章 双极型晶体管的功率特性
4.1 集电极最大允许工作电流ICM
4.2 基区大注入效应对电流放大系数的影响
4.2.1 基区大注入下的电流（以npn管为例）
4.2.2 基区电导调制效应
4.2.3 基区大注入对电流放大系数的影响
4.3 有效基区扩展效应
4.3.1 均匀基区晶体管的有效基区扩展效应
4.3.2 缓变基区晶体管的有效基区扩展效应
4.4 发射极电流集边效应
4.5 晶体管最大耗散功率PCM
4.6 二次击穿和安全工作区
思考与练习
第5章 双极型晶体管的开关特性
5.1 开关晶体管的静态特性
5.2 晶体管的开关过程和开关时间
5.3 开关晶体管的正向压降和饱和压降
思考与练习
第6章 结型栅场效应晶体管
6.1 JFET基本结构和工作原理
6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数
6.2.1 肖克莱理论和JFET的直流特性
6.2.2 JFET的直流参数
6.2.3 JFET的交流小信号参数
6.2.4 任意沟道杂质浓度分布的JFET
6.2.5 四极管特性
6.2.6 高场迁移率的影响
6.2.7 关于沟道夹断和速度饱和的讨论
6.2.8 串联电阻的影响
6.2.9 温度对直流特性的影响
6.3 JFET的交流特性
6.3.1 交流小信号等效电路
6.3.2 JFET和MESFET中的电容
6.3.3 JFET和MESFET的频率参数
6.4 JFET的功率特性
6.5 JFET和MESFET结构举例
6.5.1 MESFET的结构
6.5.2 JFET的结构
6.5.3 V形槽硅功率JFET
思考与练习
第7章 MOS场效应晶体管
7.1 基本结构和工作原理
7.1.1 MOSFET的基本结构
7.1.2 MOSFET的基本工作原理
7.1.3 MOSFET的基本类型
7.2 MOSFET的阈值电压
7.2.1 MOSFET阈值电压表达式
7.2.2 影响MOSFET阈值电压的因素
7.2.3 关于强反型状态
7.3 MOSFET的I-V特性和直流特性曲线
7.3.1 MOSFET的电流-电压特性
7.3.2 弱反型（亚阈值）区的伏安特性
7.3.3 MOSFET的特性曲线
7.3.4 MOSFET的直流参数
7.4 MOSFET的频率特性
7.4.1 MOSFET的交流小信号参数
7.4.2 MOSFET的交流小信号等效电路
7.4.3 MOSFET的频率特性
7.5 MOSFET的功率特性和功率MOSFET的结构
7.5.1 MOSFET的功率特性
7.5.2 功率MOSFET结构
7.5.3 功率MOSFET的导通电阻
7.6 MOSFET的开关特性
7.6.1 MOSFET的本征延迟
7.6.2 MOSFET的非本征延迟
7.6.3 NMOS倒相器的延迟时间
7.7 MOSFET的击穿特性
7.8 MOSFET的温度特性
7.9 MOSFET的短沟道和窄沟道效应
7.9.1 阈值电压的变化
7.9.2 漏极特性和跨导的变化
7.9.3 弱反型区亚阈值漏极电流的变化
7.9.4 长沟道器件的最小沟道长度限制
7.9.5 短沟道高性能器件结构举例
思考与练习
第8章 晶体管的噪声特性
8.1 晶体管的噪声和噪声系数
8.2 晶体管的噪声源
8.3 p-n结二极管的噪声
8.4 双极型晶体管的噪声特性
8.5 JFET和MESFET的噪声特性
8.6 MOSFET的噪声特性
思考与练习
第9章 其他类型的微电子器件
9.1 晶闸管
9.1.1 二极晶闸管
9.1.2 三极晶闸管
9.1.3 反向导通晶闸管
9.1.4 双向晶闸管
9.2 异质结双极晶体管
9.3 静电感应晶体管
9.4 绝缘栅双极晶体管（IGBT）
9.5 单结晶体管
9.6 双极反型沟道场效应晶体管（BICFET）
9.7 穿通型晶体管
9.7.1 可透基区晶体管
9.7.2 穿通型场效应晶体管
9.7.3 空间电荷限制三极管
附录Ⅰ 常温下主要半导体的物理性质
附录Ⅱ 常用介质膜的物理参数
附录Ⅲ 常用物理常数表
附录IV 硅电阻率与杂质浓度的关系（300 K）
附录V 硅中迁移率与杂质浓度的关系
附录Ⅵ 扩散结势垒电容和势垒宽度关系曲线
附录Ⅶ 硅中扩散层平均电导与表面浓度、结深关系
附录Ⅷ 半导体分立器件型号命名法
参考文献336 显示部分信息第1章 p-n结二极管
1.1 p-n结的形成及平衡状态
1.1.1 p-n结的形成与空间电荷区
1.1.2 平衡p-n结的能带图与势垒高度
1.2 p-n结的直流特性
1.2.1 正向p-n结
1.2.2 反向p-n结
1.2.3 温度对p-n结电流和电压的影响
1.3 p-n结空间电荷区和势垒电容
1.3.1 p-n结空间电荷区的电场和电位分布
1.3.2 p-n结势垒电容
1.4 p-n结的小信号交流特性
1.4.1 p-n结小信号交流电流-电压方程
1.4.2 p-n结的小信号交流导纳
1.4.3 p-n结扩散电容
1.5 p-n结的击穿特性
1.5.1 p-n结击穿机理
1.5.2 雪崩击穿条件
1.5.3 雪崩击穿电压及其影响因素
1.5.4 击穿现象的应用--稳压二极管
1.6 p-n结二极管的开关特性
1.7 p-n结二极管的其他类型
1.7.1 反向电阻阶跃恢复二极管
1.7.2 超高频二极管
1.7.3 钳位二极管
1.7.4 噪声二极管
1.7.5 雪崩渡越二极管
1.7.6 隧道二极管
1.7.7 反向二极管
思考与练习
第2章 双极型晶体管的直流特性
2.1 晶体管的基本结构和杂质分布
2.1.1 晶体管的基本结构
2.1.2 杂质分布
2.2 晶体管的放大机理
2.2.1 晶体管的能带图及少子分布
2.2.2 晶体管中的电流传输过程及放大作用
2.3 晶体管的直流I-V特性及电流增益
2.3.1 均匀基区晶体管（以npn管为例）
2.3.2 缓变基区晶体管（以npn管为例）
2.3.3 影响电流放大系数的其他因素
2.4 晶体管的反向电流及击穿电压
2.4.1 晶体管的反向电流
2.4.2 晶体管的击穿电压
2.5 双极型晶体管的直流特性曲线
2.5.1 共基极直流特性曲线
2.5.2 共发射极直流特性曲线
2.6 基极电阻
2.6.1 概述
2.6.2 梳状结构晶体管的基极电阻
2.7 埃伯尔斯-莫尔（Ebers-Moll）模型
思考与练习
第3章 双极型晶体管的频率特性
3.1 晶体管交流电流放大系数与频率参数
3.2 晶体管交流特性的理论分析
3.2.1 均匀基区晶体管交流特性分析
3.2.2 缓变基区晶体管交流特性分析
3.3 晶体管的高频参数及等效电路
3.3.1 晶体管高频Y参数及其等效电路
3.3.2 晶体管高频h参数及等效电路
3.4 高频下晶体管中载流子的输运及中间参数
3.4.1 发射效率及发射结延迟时间
3.4.2 基区输运系数及基区渡越时间
3.4.3 集电结势垒输运系数及渡越时间
3.4.4 集电区倍增因子与集电极延迟时间
3.5 晶体管电流放大系数的频率关系
3.5.1 共基极电流放大系数及其截止频率
3.5.2 共发射极电流放大系数及其截止频率
3.5.3 影响fT的因素和提高fT的途径
3.6 晶体管的高频功率增益和最高振荡频率
3.6.1 最佳高频功率增益
3.6.2 高频优值和最高振荡频率
3.6.3 提高功率增益或最高振荡频率的途径
3.7 工作条件对晶体管fT、Kpm的影响
3.7.1 工作点对fT的影响
3.7.2 工作点对Kpm的影响
思考与练习
第4章 双极型晶体管的功率特性
4.1 集电极最大允许工作电流ICM
4.2 基区大注入效应对电流放大系数的影响
4.2.1 基区大注入下的电流（以npn管为例）
4.2.2 基区电导调制效应
4.2.3 基区大注入对电流放大系数的影响
4.3 有效基区扩展效应
4.3.1 均匀基区晶体管的有效基区扩展效应
4.3.2 缓变基区晶体管的有效基区扩展效应
4.4 发射极电流集边效应
4.5 晶体管最大耗散功率PCM
4.6 二次击穿和安全工作区
思考与练习
第5章 双极型晶体管的开关特性
5.1 开关晶体管的静态特性
5.2 晶体管的开关过程和开关时间
5.3 开关晶体管的正向压降和饱和压降
思考与练习
第6章 结型栅场效应晶体管
6.1 JFET基本结构和工作原理
6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数
6.2.1 肖克莱理论和JFET的直流特性
6.2.2 JFET的直流参数
6.2.3 JFET的交流小信号参数
6.2.4 任意沟道杂质浓度分布的JFET
6.2.5 四极管特性
6.2.6 高场迁移率的影响
6.2.7 关于沟道夹断和速度饱和的讨论
6.2.8 串联电阻的影响
6.2.9 温度对直流特性的影响
6.3 JFET的交流特性
6.3.1 交流小信号等效电路
6.3.2 JFET和MESFET中的电容
6.3.3 JFET和MESFET的频率参数
6.4 JFET的功率特性
6.5 JFET和MESFET结构举例
6.5.1 MESFET的结构
6.5.2 JFET的结构
6.5.3 V形槽硅功率JFET
思考与练习
第7章 MOS场效应晶体管
7.1 基本结构和工作原理
7.1.1 MOSFET的基本结构
7.1.2 MOSFET的基本工作原理
7.1.3 MOSFET的基本类型
7.2 MOSFET的阈值电压
7.2.1 MOSFET阈值电压表达式
7.2.2 影响MOSFET阈值电压的因素
7.2.3 关于强反型状态
7.3 MOSFET的I-V特性和直流特性曲线
7.3.1 MOSFET的电流-电压特性
7.3.2 弱反型（亚阈值）区的伏安特性
7.3.3 MOSFET的特性曲线
7.3.4 MOSFET的直流参数
7.4 MOSFET的频率特性
7.4.1 MOSFET的交流小信号参数
7.4.2 MOSFET的交流小信号等效电路
7.4.3 MOSFET的频率特性
7.5 MOSFET的功率特性和功率MOSFET的结构
7.5.1 MOSFET的功率特性
7.5.2 功率MOSFET结构
7.5.3 功率MOSFET的导通电阻
7.6 MOSFET的开关特性
7.6.1 MOSFET的本征延迟
7.6.2 MOSFET的非本征延迟
7.6.3 NMOS倒相器的延迟时间
7.7 MOSFET的击穿特性
7.8 MOSFET的温度特性
7.9 MOSFET的短沟道和窄沟道效应
7.9.1 阈值电压的变化
7.9.2 漏极特性和跨导的变化
7.9.3 弱反型区亚阈值漏极电流的变化
7.9.4 长沟道器件的最小沟道长度限制
7.9.5 短沟道高性能器件结构举例
思考与练习
第8章 晶体管的噪声特性
8.1 晶体管的噪声和噪声系数
8.2 晶体管的噪声源
8.3 p-n结二极管的噪声
8.4 双极型晶体管的噪声特性
8.5 JFET和MESFET的噪声特性
8.6 MOSFET的噪声特性
思考与练习
第9章 其他类型的微电子器件
9.1 晶闸管
9.1.1 二极晶闸管
9.1.2 三极晶闸管
9.1.3 反向导通晶闸管
9.1.4 双向晶闸管
9.2 异质结双极晶体管
9.3 静电感应晶体管
9.4 绝缘栅双极晶体管（IGBT）
9.5 单结晶体管
9.6 双极反型沟道场效应晶体管（BICFET）
9.7 穿通型晶体管
9.7.1 可透基区晶体管
9.7.2 穿通型场效应晶体管
9.7.3 空间电荷限制三极管
附录Ⅰ 常温下主要半导体的物理性质
附录Ⅱ 常用介质膜的物理参数
附录Ⅲ 常用物理常数表
附录IV 硅电阻率与杂质浓度的关系（300 K）
附录V 硅中迁移率与杂质浓度的关系
附录Ⅵ 扩散结势垒电容和势垒宽度关系曲线
附录Ⅶ 硅中扩散层平均电导与表面浓度、结深关系
附录Ⅷ 半导体分立器件型号命名法
参考文献336 显示部分信息第1章 p-n结二极管
1.1 p-n结的形成及平衡状态
1.1.1 p-n结的形成与空间电荷区
1.1.2 平衡p-n结的能带图与势垒高度
1.2 p-n结的直流特性
1.2.1 正向p-n结
1.2.2 反向p-n结
1.2.3 温度对p-n结电流和电压的影响
1.3 p-n结空间电荷区和势垒电容
1.3.1 p-n结空间电荷区的电场和电位分布
1.3.2 p-n结势垒电容
1.4 p-n结的小信号交流特性
1.4.1 p-n结小信号交流电流-电压方程
1.4.2 p-n结的小信号交流导纳
1.4.3 p-n结扩散电容
1.5 p-n结的击穿特性
1.5.1 p-n结击穿机理
1.5.2 雪崩击穿条件
1.5.3 雪崩击穿电压及其影响因素
1.5.4 击穿现象的应用--稳压二极管
1.6 p-n结二极管的开关特性
1.7 p-n结二极管的其他类型
1.7.1 反向电阻阶跃恢复二极管
1.7.2 超高频二极管
1.7.3 钳位二极管
1.7.4 噪声二极管
1.7.5 雪崩渡越二极管
1.7.6 隧道二极管
1.7.7 反向二极管
思考与练习
第2章 双极型晶体管的直流特性
2.1 晶体管的基本结构和杂质分布
2.1.1 晶体管的基本结构
2.1.2 杂质分布
2.2 晶体管的放大机理
2.2.1 晶体管的能带图及少子分布
2.2.2 晶体管中的电流传输过程及放大作用
2.3 晶体管的直流I-V特性及电流增益
2.3.1 均匀基区晶体管（以npn管为例）
2.3.2 缓变基区晶体管（以npn管为例）
2.3.3 影响电流放大系数的其他因素
2.4 晶体管的反向电流及击穿电压
2.4.1 晶体管的反向电流
2.4.2 晶体管的击穿电压
2.5 双极型晶体管的直流特性曲线
2.5.1 共基极直流特性曲线
2.5.2 共发射极直流特性曲线
2.6 基极电阻
2.6.1 概述
2.6.2 梳状结构晶体管的基极电阻
2.7 埃伯尔斯-莫尔（Ebers-Moll）模型
思考与练习
第3章 双极型晶体管的频率特性
3.1 晶体管交流电流放大系数与频率参数
3.2 晶体管交流特性的理论分析
3.2.1 均匀基区晶体管交流特性分析
3.2.2 缓变基区晶体管交流特性分析
3.3 晶体管的高频参数及等效电路
3.3.1 晶体管高频Y参数及其等效电路
3.3.2 晶体管高频h参数及等效电路
3.4 高频下晶体管中载流子的输运及中间参数
3.4.1 发射效率及发射结延迟时间
3.4.2 基区输运系数及基区渡越时间
3.4.3 集电结势垒输运系数及渡越时间
3.4.4 集电区倍增因子与集电极延迟时间
3.5 晶体管电流放大系数的频率关系
3.5.1 共基极电流放大系数及其截止频率
3.5.2 共发射极电流放大系数及其截止频率
3.5.3 影响fT的因素和提高fT的途径
3.6 晶体管的高频功率增益和最高振荡频率
3.6.1 最佳高频功率增益
3.6.2 高频优值和最高振荡频率
3.6.3 提高功率增益或最高振荡频率的途径
3.7 工作条件对晶体管fT、Kpm的影响
3.7.1 工作点对fT的影响
3.7.2 工作点对Kpm的影响
思考与练习
第4章 双极型晶体管的功率特性
4.1 集电极最大允许工作电流ICM
4.2 基区大注入效应对电流放大系数的影响
4.2.1 基区大注入下的电流（以npn管为例）
4.2.2 基区电导调制效应
4.2.3 基区大注入对电流放大系数的影响
4.3 有效基区扩展效应
4.3.1 均匀基区晶体管的有效基区扩展效应
4.3.2 缓变基区晶体管的有效基区扩展效应
4.4 发射极电流集边效应
4.5 晶体管最大耗散功率PCM
4.6 二次击穿和安全工作区
思考与练习
第5章 双极型晶体管的开关特性
5.1 开关晶体管的静态特性
5.2 晶体管的开关过程和开关时间
5.3 开关晶体管的正向压降和饱和压降
思考与练习
第6章 结型栅场效应晶体管
6.1 JFET基本结构和工作原理
6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数
6.2.1 肖克莱理论和JFET的直流特性
6.2.2 JFET的直流参数
6.2.3 JFET的交流小信号参数
6.2.4 任意沟道杂质浓度分布的JFET
6.2.5 四极管特性
6.2.6 高场迁移率的影响
6.2.7 关于沟道夹断和速度饱和的讨论
6.2.8 串联电阻的影响
6.2.9 温度对直流特性的影响
6.3 JFET的交流特性
6.3.1 交流小信号等效电路
6.3.2 JFET和MESFET中的电容
6.3.3 JFET和MESFET的频率参数
6.4 JFET的功率特性
6.5 JFET和MESFET结构举例
6.5.1 MESFET的结构
6.5.2 JFET的结构
6.5.3 V形槽硅功率JFET
思考与练习
第7章 MOS场效应晶体管
7.1 基本结构和工作原理
7.1.1 MOSFET的基本结构
7.1.2 MOSFET的基本工作原理
7.1.3 MOSFET的基本类型
7.2 MOSFET的阈值电压
7.2.1 MOSFET阈值电压表达式
7.2.2 影响MOSFET阈值电压的因素
7.2.3 关于强反型状态
7.3 MOSFET的I-V特性和直流特性曲线
7.3.1 MOSFET的电流-电压特性
7.3.2 弱反型（亚阈值）区的伏安特性
7.3.3 MOSFET的特性曲线
7.3.4 MOSFET的直流参数
7.4 MOSFET的频率特性
7.4.1 MOSFET的交流小信号参数
7.4.2 MOSFET的交流小信号等效电路
7.4.3 MOSFET的频率特性
7.5 MOSFET的功率特性和功率MOSFET的结构
7.5.1 MOSFET的功率特性
7.5.2 功率MOSFET结构
7.5.3 功率MOSFET的导通电阻
7.6 MOSFET的开关特性
7.6.1 MOSFET的本征延迟
7.6.2 MOSFET的非本征延迟
7.6.3 NMOS倒相器的延迟时间
7.7 MOSFET的击穿特性
7.8 MOSFET的温度特性
7.9 MOSFET的短沟道和窄沟道效应
7.9.1 阈值电压的变化
7.9.2 漏极特性和跨导的变化
7.9.3 弱反型区亚阈值漏极电流的变化
7.9.4 长沟道器件的最小沟道长度限制
7.9.5 短沟道高性能器件结构举例
思考与练习
第8章 晶体管的噪声特性
8.1 晶体管的噪声和噪声系数
8.2 晶体管的噪声源
8.3 p-n结二极管的噪声
8.4 双极型晶体管的噪声特性
8.5 JFET和MESFET的噪声特性
8.6 MOSFET的噪声特性
思考与练习
第9章 其他类型的微电子器件
9.1 晶闸管
9.1.1 二极晶闸管
9.1.2 三极晶闸管
9.1.3 反向导通晶闸管
9.1.4 双向晶闸管
9.2 异质结双极晶体管
9.3 静电感应晶体管
9.4 绝缘栅双极晶体管（IGBT）
9.5 单结晶体管
9.6 双极反型沟道场效应晶体管（BICFET）
9.7 穿通型晶体管
9.7.1 可透基区晶体管
9.7.2 穿通型场效应晶体管
9.7.3 空间电荷限制三极管
附录Ⅰ 常温下主要半导体的物理性质
附录Ⅱ 常用介质膜的物理参数
附录Ⅲ 常用物理常数表
附录IV 硅电阻率与杂质浓度的关系（300 K）
附录V 硅中迁移率与杂质浓度的关系
附录Ⅵ 扩散结势垒电容和势垒宽度关系曲线
附录Ⅶ 硅中扩散层平均电导与表面浓度、结深关系
附录Ⅷ 半导体分立器件型号命名法
参考文献336 显示部分信息第1章 p-n结二极管
1.1 p-n结的形成及平衡状态
1.1.1 p-n结的形成与空间电荷区
1.1.2 平衡p-n结的能带图与势垒高度
1.2 p-n结的直流特性
1.2.1 正向p-n结
1.2.2 反向p-n结
1.2.3 温度对p-n结电流和电压的影响
1.3 p-n结空间电荷区和势垒电容
1.3.1 p-n结空间电荷区的电场和电位分布
1.3.2 p-n结势垒电容
1.4 p-n结的小信号交流特性
1.4.1 p-n结小信号交流电流-电压方程
1.4.2 p-n结的小信号交流导纳
1.4.3 p-n结扩散电容
1.5 p-n结的击穿特性
1.5.1 p-n结击穿机理
1.5.2 雪崩击穿条件
1.5.3 雪崩击穿电压及其影响因素
1.5.4 击穿现象的应用--稳压二极管
1.6 p-n结二极管的开关特性
1.7 p-n结二极管的其他类型
1.7.1 反向电阻阶跃恢复二极管
1.7.2 超高频二极管
1.7.3 钳位二极管
1.7.4 噪声二极管
1.7.5 雪崩渡越二极管
1.7.6 隧道二极管
1.7.7 反向二极管
思考与练习
第2章 双极型晶体管的直流特性
2.1 晶体管的基本结构和杂质分布
2.1.1 晶体管的基本结构
2.1.2 杂质分布
2.2 晶体管的放大机理
2.2.1 晶体管的能带图及少子分布
2.2.2 晶体管中的电流传输过程及放大作用
2.3 晶体管的直流I-V特性及电流增益
2.3.1 均匀基区晶体管（以npn管为例）
2.3.2 缓变基区晶体管（以npn管为例）
2.3.3 影响电流放大系数的其他因素
2.4 晶体管的反向电流及击穿电压
2.4.1 晶体管的反向电流
2.4.2 晶体管的击穿电压
2.5 双极型晶体管的直流特性曲线
2.5.1 共基极直流特性曲线
2.5.2 共发射极直流特性曲线
2.6 基极电阻
2.6.1 概述
2.6.2 梳状结构晶体管的基极电阻
2.7 埃伯尔斯-莫尔（Ebers-Moll）模型
思考与练习
第3章 双极型晶体管的频率特性
3.1 晶体管交流电流放大系数与频率参数
3.2 晶体管交流特性的理论分析
3.2.1 均匀基区晶体管交流特性分析
3.2.2 缓变基区晶体管交流特性分析
3.3 晶体管的高频参数及等效电路
3.3.1 晶体管高频Y参数及其等效电路
3.3.2 晶体管高频h参数及等效电路
3.4 高频下晶体管中载流子的输运及中间参数
3.4.1 发射效率及发射结延迟时间
3.4.2 基区输运系数及基区渡越时间
3.4.3 集电结势垒输运系数及渡越时间
3.4.4 集电区倍增因子与集电极延迟时间
3.5 晶体管电流放大系数的频率关系
3.5.1 共基极电流放大系数及其截止频率
3.5.2 共发射极电流放大系数及其截止频率
3.5.3 影响fT的因素和提高fT的途径
3.6 晶体管的高频功率增益和最高振荡频率
3.6.1 最佳高频功率增益
3.6.2 高频优值和最高振荡频率
3.6.3 提高功率增益或最高振荡频率的途径
3.7 工作条件对晶体管fT、Kpm的影响
3.7.1 工作点对fT的影响
3.7.2 工作点对Kpm的影响
思考与练习
第4章 双极型晶体管的功率特性
4.1 集电极最大允许工作电流ICM
4.2 基区大注入效应对电流放大系数的影响
4.2.1 基区大注入下的电流（以npn管为例）
4.2.2 基区电导调制效应
4.2.3 基区大注入对电流放大系数的影响
4.3 有效基区扩展效应
4.3.1 均匀基区晶体管的有效基区扩展效应
4.3.2 缓变基区晶体管的有效基区扩展效应
4.4 发射极电流集边效应
4.5 晶体管最大耗散功率PCM
4.6 二次击穿和安全工作区
思考与练习
第5章 双极型晶体管的开关特性
5.1 开关晶体管的静态特性
5.2 晶体管的开关过程和开关时间
5.3 开关晶体管的正向压降和饱和压降
思考与练习
第6章 结型栅场效应晶体管
6.1 JFET基本结构和工作原理
6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数
6.2.1 肖克莱理论和JFET的直流特性
6.2.2 JFET的直流参数
6.2.3 JFET的交流小信号参数
6.2.4 任意沟道杂质浓度分布的JFET
6.2.5 四极管特性
6.2.6 高场迁移率的影响
6.2.7 关于沟道夹断和速度饱和的讨论
6.2.8 串联电阻的影响
6.2.9 温度对直流特性的影响
6.3 JFET的交流特性
6.3.1 交流小信号等效电路
6.3.2 JFET和MESFET中的电容
6.3.3 JFET和MESFET的频率参数
6.4 JFET的功率特性
6.5 JFET和MESFET结构举例
6.5.1 MESFET的结构
6.5.2 JFET的结构
6.5.3 V形槽硅功率JFET
思考与练习
第7章 MOS场效应晶体管
7.1 基本结构和工作原理
7.1.1 MOSFET的基本结构
7.1.2 MOSFET的基本工作原理
7.1.3 MOSFET的基本类型
7.2 MOSFET的阈值电压
7.2.1 MOSFET阈值电压表达式
7.2.2 影响MOSFET阈值电压的因素
7.2.3 关于强反型状态
7.3 MOSFET的I-V特性和直流特性曲线
7.3.1 MOSFET的电流-电压特性
7.3.2 弱反型（亚阈值）区的伏安特性
7.3.3 MOSFET的特性曲线
7.3.4 MOSFET的直流参数
7.4 MOSFET的频率特性
7.4.1 MOSFET的交流小信号参数
7.4.2 MOSFET的交流小信号等效电路
7.4.3 MOSFET的频率特性
7.5 MOSFET的功率特性和功率MOSFET的结构
7.5.1 MOSFET的功率特性
7.5.2 功率MOSFET结构
7.5.3 功率MOSFET的导通电阻
7.6 MOSFET的开关特性
7.6.1 MOSFET的本征延迟
7.6.2 MOSFET的非本征延迟
7.6.3 NMOS倒相器的延迟时间
7.7 MOSFET的击穿特性
7.8 MOSFET的温度特性
7.9 MOSFET的短沟道和窄沟道效应
7.9.1 阈值电压的变化
7.9.2 漏极特性和跨导的变化
7.9.3 弱反型区亚阈值漏极电流的变化
7.9.4 长沟道器件的最小沟道长度限制
7.9.5 短沟道高性能器件结构举例
思考与练习
第8章 晶体管的噪声特性
8.1 晶体管的噪声和噪声系数
8.2 晶体管的噪声源
8.3 p-n结二极管的噪声
8.4 双极型晶体管的噪声特性
8.5 JFET和MESFET的噪声特性
8.6 MOSFET的噪声特性
思考与练习
第9章 其他类型的微电子器件
9.1 晶闸管
9.1.1 二极晶闸管
9.1.2 三极晶闸管
9.1.3 反向导通晶闸管
9.1.4 双向晶闸管
9.2 异质结双极晶体管
9.3 静电感应晶体管
9.4 绝缘栅双极晶体管（IGBT）
9.5 单结晶体管
9.6 双极反型沟道场效应晶体管（BICFET）
9.7 穿通型晶体管
9.7.1 可透基区晶体管
9.7.2 穿通型场效应晶体管
9.7.3 空间电荷限制三极管
附录Ⅰ 常温下主要半导体的物理性质
附录Ⅱ 常用介质膜的物理参数
附录Ⅲ 常用物理常数表
附录IV 硅电阻率与杂质浓度的关系（300 K）
附录V 硅中迁移率与杂质浓度的关系
附录Ⅵ 扩散结势垒电容和势垒宽度关系曲线
附录Ⅶ 硅中扩散层平均电导与表面浓度、结深关系
附录Ⅷ 半导体分立器件型号命名法
参考文献
新书资讯