《国外电子与通信教材系列：模拟电路版图的艺术（第2版）（英文版）》以实用和权威性的观点全面论述了模拟集成电路版图设计中所涉及的各种问题及目前的最新研究成果。书中介绍了半导体器件物理与工艺、失效机理等内容；基于模拟集成电路设计所采用的3种基本工艺：标准双极工艺、多晶硅栅CMOS工艺和模拟BiCMOS工艺，重点探讨了无源器件的设计与匹配性问题，二极管设计，双极型晶体管和场效应晶体管的设计与应用，以及某些专门领域的内容，包括器件合并、保护环、焊盘制作、单层连接、ESD结构等；最后介绍了有关芯片版图的布局布线知识。

　　第二版前言
　　我最初撰写“模拟电路的版图艺术”是用于一系列讲座。很多人鼓励我将其出版。刚开始我有点犹豫，因为我认为它的读者非常有限。出版之后证明了我的担心毫无根据。令我惊讶的是，“模拟电路的版图艺术”居然被翻译成了中文！
　　过去的几年时间提醒我第一版存在的局限性，并且促成了一次全面的修订。每一章都经过了检查和校正。还加入了很多新内容，并伴随约50个新的图例。第二版介绍的新内容包括如下：
　　·先进金属化系统
　　·介质隔离
　　·MOS晶体管的失效机制
　　·集成电感
　　·MOS安全工作区
　　·非易失性存储器
　　在准备本书第二版期间，我从德州仪器的同事身上汲取了大量的经验和智慧。同时我还不断参阅IEEEXplore网站的可用资源，尤其是IEEEJournal of Electron Devices上的文献。我要向所有帮助我理解或纠正了我很多错误的人们表示感谢。如此长时间大强度的工作无法做到完美，但是第二版确实比第一版有很大的进步。

第1章 器件物理
1.1 半导体
1.2 PN结
1.3 双极型晶体管
1.4 MOS晶体管
1.5 JFET晶体管
1.6 小结
1.7 习题

第2章 半导体制造
2.1 硅制造
2.2 光刻技术
2.3 氧化物生长和去除
2.4 扩散和离子注入
2.5 硅淀积和刻蚀
2.6 金属化
2.7 组装
2.8 小结
2.9 习题

第3章 典型工艺
3.1 标准双极工艺
3.2 多晶硅栅CMOS工艺
3.3 模拟BiCMOS
3.4 小结
3.5 习题

第4章 失效机制
4.1 电过应力
4.2 玷污
4.3 表面效应
4.4 寄生效应
4.5 小结
4.6 习题

第5章 电阻
5.1 电阻率和方块电阻（薄层电阻）
5.2 电阻版图
5.3 电阻变化
5.4 电阻的寄生效应
5.5 不同电阻类型的比较
5.6 调整电阻阻值
5.7 小结
5.8 习题

第6章 电容和电感
6.1 电容
6.2 电感
6.3 小结
6.4 习题

第7章 电阻和电容的匹配
7.1 失配的测量
7.2 失配的原因
7.3 器件匹配规则
7.4 小结
7.5 习题

第8章 双极型晶体管
8.1 双极型晶体管的工作原理
8.2 标准双极型小信号晶体管
8.3 CMOS和BiCMOS工艺小信号双极型晶体管
8.4 小结
8.5 习题

第9章 双极型晶体管的应用
9.1 功率双极型晶体管
9.2 双极型晶体管匹配
9.3 双极型晶体管匹配设计规则
9.4 小结
9.5 习题

第10章 二极管
10.1 标准双极工艺二极管
10.2 CMOS和BiCMOS工艺二极管
10.3 匹配二极管
10.4 小结
10.5 习题

第11章 场效应晶体管
11.1 MOS晶体管的工作原理
11.2 构造CMOS晶体管
11.3 浮栅晶体管
11.4 JFET晶体管
11.5 小结
11.6 习题

第12章 MOS晶体管的应用
12.1 扩展电压晶体管
12.2 功率MOS晶体管
12.3 MOS晶体管的匹配
12.4 MOS晶体管的匹配规则
12.5 小结
12.6 习题

第13章 一些专题
13.1 合并器件
13.2 保护环
13.3 单层互连
13.4 构建焊盘环
13.5 ESD结构
13.6 习题

第14章 组装管芯
14.1 规划管芯
14.2 布局
14.3 顶层互连
14.4 小结
14.5 习题

附录A 缩写词汇表
附录B 立方晶体的米勒指数
附录C 版图规则实例
附录D 数学推导
附录E 版图编辑软件的出处