本书系统介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法，包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等，模拟尺寸从原子尺度的10.10m到百纳米，时间从亚皮秒量级到106s，并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用，揭示了典型半导体材料的位移损伤机理和规律，在核技术和辐射物理学科的发展、位移损伤效应研究、人才培养等方面具有重要的学术意义和应用价值。

本书旨在向材料及微电子集成相关专业的高年级本科生、研究生及从事材料与器件集成行业的科研人员介绍栅介质材料制备与相关器件集成的专业技术。本书共10章，包括了集成电路的发展趋势及后摩尔时代的器件挑战，栅介质材料的基本概念及物理知识储备，栅介质材料的基本制备技术及表征方法； 着重介绍了栅介质材料在不同器件中的集成应用，如高κ与金属栅、场效应晶体管器件、薄膜晶体管器件、存储器件及神经形态器件等。本书包含栅介质材料的基本制备技术，同时突出了栅介质材料在器件应用中的先进性和前沿性，反映了后摩尔时代器件集成的

本书共6章, 包括绪论、氮化物材料MOCVD生长技术、氮化镓微波功率器件技术、微波功率器件新型工艺、微波功率器件建模技术、新型氮化镓微波功率器件。

作为薄膜晶体管(TFT)技术的入门教材，本书以非晶硅薄膜晶体管（a-Si TFT)和多晶硅薄膜晶体管(p-Si TFT)为例详细讲解了与TFT技术相关的材料物理、器件物理和制备工艺原理及其在平板显示中的应用原理等。
本书共分7章。第1章简单介绍了薄膜晶体管的发展简史；第2章详细阐述了TFT在平板显示有源矩阵驱动中的应用原理；第3章深入讲解了薄膜晶体管相关的半导体、绝缘体和电极材料物理；第4章详细阐述了非晶硅TFT和多晶硅TFT器件物理的相关基础知识；第5章系统介绍了TFT制备的单项

全书较为系统地论述了压接型IGBT器件封装疲劳失效机理及其可靠性建模与测评等，既有理论原理、仿真分析、又有实验测试等。全书内容可为高压大功率压接器件的可靠性设计优化和测试奠定理论基础；同时也为实现柔直装备安全运行的状态评估和主动运维提供技术支撑，从而进一步支撑以高压大功率IGBT器件为核心的柔直装备及电力系统安全。

本书对标电子装联职业技能标准(中级)的考核方案，本题库分为理论知识题库和实操题库两部分。理论知识题库按照工作任务进行划分，每个任务的考核由判断题、选择题、简述题和案例分析题四种题型构成；同时，为方便学员的自我学习、自我检查，该题库还提供了部分习题的参考答案，利于学习效果的检测。实操题库根据电子装联职业技能标准(中级)中技能等级要求，转化为实操的题目，百分百覆盖了技能点，保证了培训人员的学习范围不遗漏。

本书适合作为集成电路、微电子、电子科学与技术等专业高年级本科生和研究生学习半导体器件物理的双语教学教材，内容涵盖了量子力学、固体物理、半导体物理和半导体器件的全部内容。全书在介绍学习器件物理所必需的基础理论之后，重点讨论了pn结、金属–半导体接触、MOS场效应晶体管和双极型晶体管的工作原理和基本特性。最后论述了结型场效应晶体管、晶闸管、MEMS和半导体光电器件的相关内容。本书提供了丰富的习题和自测题，并给出了大量的分析或设计实例，有助于读者对基本理论和概念的理解。

本书介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺，以及特性的控制等。全书共13章：第1章为硅和锗的化学制备；第2章为区熔提纯；第3章为晶体生长；第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷；第5章为硅外延生长；第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体；第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长；第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体；第9章为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体；第10章为低维结构半导体材料；第11章为氧化物半导体材料；第12章为照明半导体材料；第13章为其他半导体材料。

本书从材料、工艺、结构、性能、历史、产业和前沿研究角度，对半导体太阳能电池和发光二极管进行系统性的介绍。主要包括半导体与新能源，太阳能电池概述，晶体硅太阳能电池，薄膜硅太阳能电池，碲化镉太阳能电池，砷化镓太阳能电池，铜铟硒太阳能电池，染料敏化太阳能电池，有机太阳能电池，发光二极管概述，氮化镓发光二极管，氧化锌发光二极管，中长波发光二极管，有机发光二极管的工艺、设计、和前沿研究。

本书以集成电路领域中的等离子体刻蚀为切入点，介绍了等离子体基础知识、基于等离子体的刻蚀技术、等离子体刻蚀设备及其在集成电路中的应用。全书共8章，内容包括集成电路简介、等离子体基本原理、集成电路制造中的等离子体刻蚀工艺、集成电路封装中的等离子体刻蚀工艺、等离子体刻蚀机、等离子体测试和表征、等离子体仿真、颗粒控制和量产。本书对从事等离子体刻蚀基础研究和集成电路工厂产品刻蚀工艺调试的人员均有一定的参考价值。