本书内容以实用性为出发点，阐释了氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体的原理、制造工艺、特性表征、市场现状以及针对关键应用的设计方法。针对GaN器件，从材料特性、芯片设计、制造工艺和外特性各方面深入分析，介绍了仿真手段和各种典型应用，最后还介绍了目前主流的技术和GaN公司。

本书共8章。其中，第1章介绍Si基GaN材料与芯片的研究意义，着重分析了GaN材料的性质和Si基GaN外延材料与芯片制备的发展历程。第2章从Si基GaN材料的外延生长机理出发，依次介绍了GaN薄膜、零维GaN量子点、一维GaN纳米线和二维GaN生长所面临的技术难点及对应的生长技术调控手段。第3～7章依次介绍了Si基GaNLED材料与芯片、Si基GaN高电子迁移率晶体管、Si基GaN肖特基二极管、Si基GaN光电探测芯片和Si基GaN光电解水芯片的工作原理、技术瓶颈、制备工艺以及芯片性能调控技术，

本书是国外学者们对宽禁带半导体封装技术和趋势的及时总结。首先，对宽禁带功率器件的发展趋势做了总结和预演判断，讲述宽禁带功率半导体的基本原理和特性，包括其独特的物理和化学属性，以及它们在极端环境下的潜在优势。接着介绍封装材料的选择和特性，分别就互连技术和衬底展开论述，同时，介绍了磁性材料，并对不同材料结构的热性能，以及冷却技术和散热器设计进行了介绍。然后，考虑到功率器件的质量必须通过各种测试和可靠性验证方法来评估，还介绍了瞬态热测试的原理和方法，同时阐述了各种可靠性测试的机理和选择动机。最后

本书概述了业界前沿研究者所采取的技术方法，以及他们所面临的挑战和在该领域所取得的进展。具体内容包括宽禁带半导体器件中的热问题、氮化镓(GaN)及相关材料的第一性原理热输运建模、多晶金刚石从介观尺度到纳米尺度的热输运、固体界面热输运基本理论、氮化镓界面热导上限的预测和测量、AlGaN/GaNHEMT器件物理与电热建模、氮化镓器件中热特性建模、AlGaN/GaNHEMT器件级建模仿真、基于电学法的热表征技术——栅电阻测温法、超晶格城堡形场效应晶体管的热特性、用于氮化镓器件高分辨率热成像的瞬

本书对半导体存储器技术进行了全面综合的介绍，覆盖了从底层的器件及单元结构到顶层的阵列设计，且重点介绍了近些年的工艺节点缩小趋势和最前沿的技术。本书第1部分讨论了主流的半导体存储器技术，第2部分讨论了多种新型的存储器技术，这些技术都有潜力能够改变现有的存储层级，同时也介绍了存储器技术在机器学习或深度学习中的新型应用。

本书首次利用半导体超晶格作为真随机数发生器的混沌熵源，针对超晶格作为混沌熵源时所涉及的器件设计、混沌信号分析、随机数提取等问题进行研究，从理论上对超晶格混沌产生自激振荡的机理进行了研究，从实践上实现了基于超晶格混沌熵源的随机数发生器设计及产生真随机数的评估。

弹性半导体结构的机械变形-电场-热场-载流子分布等物理场的耦合分析十分复杂。《弹性半导体的多场耦合理论与应用》基于连续介质力学、连续介质热力学及静电学的基本原理，建立了半导体的连续介质物理模型。以该模型为基础，采用材料力学及板壳力学的建模方法系统地研究了典型弹性半导体结构中的多场耦合问题，包括一维和二维压电半导体结构（挠*电半导体结构）在静态加载、失稳、振动时的变形及载流子分布等。作为该理论模型的应用，研究了压电半导体材料的变形传感及机械力对电子电路中电流的调控。

本书首先深入探讨了量子力学基础及其在物质、能带理论、半导体和集成电路等领域的应用。从电子的波动性质、不确定性原理到量子隧穿效应，逐步揭示量子世界的奥秘。接着，通过能带理论和半导体能带结构的解析，阐明了半导体材料的电子行为。此外，还详细介绍了掺杂半导体、晶格振动以及载流子输运现象等关键概念。最后，探讨了MOS结构、场效应晶体管以及集成电路的工作原理，为读者提供了从基础到应用的全面视角。本书内容丰富，结构清晰，能够帮助读者深入理解和应用量子力学在半导体技术中的重要作用。

本书基于当前半导体行业制造过程中存在的问题，介绍了多种改进的批间控制和过程监控算法及其性能。第1章为半导体制造过程概述，包括国内外研究现状和发展趋势。第2、3章介绍批间控制、控制性能和制造过程监控。第4～7章讨论机台干扰、故障、度量时延对系统性能的影响，提出多种批间控制衍生算法，包括双产品制程的EWMA批间控制算法、变折扣因子EWMA批间控制算法、偏移补偿批间控制算法、基于T-S模糊模型的批间控制算法。第8～11章介绍半导体制造过程的性能和过程监控方法，包括：设计模型评价指标进行建模质量评估；提