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氮化镓与碳化硅功率器件
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2
作者:(意)毛里齐奥·迪保罗·埃米利奥(Maurizio Di Paolo Emilio)著
出版时间:2025/7/1
ISBN:9787122477545
出 版 社:化学工业出版社
中图法分类:
TN303
页码:195页
纸张:
版次:
开本:26cm
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内容简介
本书内容以实用性为出发点,阐释了氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体的原理、制造工艺、特性表征、市场现状以及针对关键应用的设计方法。针对GaN器件,从材料特性、芯片设计、制造工艺和外特性各方面深入分析,介绍了仿真手段和各种典型应用,最后还介绍了目前主流的技术和GaN公司。
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