本书主要内容包括固体物理基础和半导体器件物理两大部分,同时也涵盖半导体晶体结构与材料生长技术、集成电路原理与制造工艺以及光电子器件与高频大功率器件等相关内容。

Ben G.Streetman是美国国家工程院院士和美国艺术与科学院院士，IEEE会士和美国电化学学会（ECS）会士。现任美国得克萨斯大学奥斯汀分校工学院院长和该鹇电机工程与计算机工程讲座教授，也是该校微电子研究中心的创始人和第一任主任（1984年-1996年）。

1 CRYSTAL PROPERTIES AND GROWTH OF SEMICONDUCTORS 
1.1 Semiconductor Materials 
1.2 Crystal Lattices 
1.2.1 Periodic Structures 
1.2.2 Cubic Lattices 
1.2.3 Planes and Directions 
1.2.4 The Diamond Lattice 
1.3 BulkCrystalGrowth 
1.3.1 Starting Materials 
1.3.2 Growth of Single-Crystal Ingots 
1.3.3 Wafers 
1.3.4 Doping 
1.4 Epitaxial Growth 
1.4.1 Lattice-Matching in Epitaxial Growth