《自旋电子学基础》将自旋电子学的基础内容分为八章，分别为引言、磁电阻效应、电子自旋注入、半金属材料、稀磁半导体、自旋矩、有机自旋电子学、自旋电子学器件原理简介。《自旋电子学基础》对各个章节的相关基础知识进行了详细介绍，并给出典型的例子，同时对相关的学科前沿进展进行了概述，有利于学生了解自旋电子学的基础知识和学科发展。
　　《自旋电子学基础》是面向物理学、材料学、电子科学与技术、微纳加工和光学等专业高年级本科生和研究生的专业教材。

第1章 引言
1.1 电子的发现和发展简况
1.1.1 电子的发现和发展
1.1.2 电子学器件的发展
1.2 电子的自旋属性
1.3 自旋电子学的发展概况


第2章 磁电阻效应
2.1 磁电阻效应的发展过程
2.2 各向异性磁电阻
2.2.1 各向异性磁电阻概述
2.2.2 各向异性磁电阻理论
2.2.3 各向异性磁电阻实验研究
2.3 巨磁电阻效应
2.3.1 多层膜结构
2.3.2 自旋阀结构
2.3.3 磁性金属和非磁性金属颗粒膜结构
2.4 隧道型磁电阻效应
2.4.1 磁性隧道结
2.4.2 铁磁性金属一绝缘体颗粒膜
2.4.3 多晶磁性材料中的隧道型磁电阻效应
2.4.4 隧道型磁电阻的相关理论
2.5 庞磁电阻效应
2.5.1 钙钛矿锰基氧化物的庞磁电阻效应
2.5.2 钙钛矿锰基氧化物中的相互作用
2.5.3 钙钛矿锰基氧化物中的低场磁电阻效应
2.5.4 钙钛矿锰基氧化物中的电荷有序现象
2.5.5 钙钛矿锰基氧化物中的相分离现象
2.5.6 钙钛矿锰基氧化物中的磁熵变现象
2.6 几种其他磁电阻效应
2.6.1 弹道磁电阻效应
2.6.2 磁性金属一碳基材料中的磁电阻效应
2.6.3 磁性金属一氧化物宽带半导体复合薄膜中的磁电阻效应
2.6.4 非磁性半导体中的磁电阻效应
2.6.5 石墨烯中的磁电阻效应


第3章 电子自旋注入
3.1 电子自旋极化简介
3.2 电子自旋注入的相关理论
3.2.1 F/N结
3.2.2 F/N/F结
3.2.3 空间电荷区域的自旋注入
3.3 电子自旋注入的实验现象
3.3.1 Johnson-Silsbee自旋注入
3.3.2 自旋注入金属
3.3.3 自旋注入半导体
3.3.4 金属铁磁体一半导体异质结
3.4 自旋弛豫
3.4.1 自旋弛豫简介
3.4.2 自旋弛豫机制
3.4.3 金属中的自旋弛豫
3.4.4 半导体中的自旋弛豫
3.5 自旋极化输运
3.5.1 F/I/S隧穿
3.5.2 F/I/F隧穿
3.5.3 Andreev反射
3.5.4 自旋极化飘移和扩散


第4章 半金属材料
4.1 半金属铁磁体简介
4.2 Heusler合金和闪锌矿结构化合物
4.2.1 Heusler-Clb合金
4.2.2 闪锌矿结构半金属
4.2.3 Heusler-12i合金
4.3 少数自旋带隙的强磁性半金属
4.3.1 二氧化铬（Cro2）
4.3.2 CMR材料
4.4 多数自旋带隙的弱磁性半金属
4.4.1 双钙钛矿结构
4.4.2 四氧化三铁（Fe304）
4.5 多数自旋带隙的强磁性半金属
4.6 硫化物
4.6.1 硫铁矿
4.6.2 尖晶石
4.7 其他半金属材料
4.7.1 钌的氧化物
……


第5章 稀磁半导体
第6章 自旋矩
第7章 有机自旋电子学
第8章 自旋电子学器件原理简介